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600 V および 650 V CoolMOS™ C7

記録的レベルの効率性能を達成するように設計されています

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概要

インフィニオンの600Vおよび650V CoolMOS™ C7スーパージャンクション (SJ) MOSFETファミリーは、記録的なレベルの効率性能を達成するように設計されており、ハードスイッチングアプリケーションの負荷範囲全体にわたって、以前の CoolMOS™ シリーズや競合他社と比較して大幅な効率上の利点を提供します。

主な機能

  • 小さなスイッチング損失 - 低QG、Coss
  • CoolMOS™ CPと比較して50%のEoss削減
  • ハードスイッチング(600 Vおよび650 V)
  • ハイエンド共振(600V)トポロジー

製品

概要

650 V CoolMOS™ C7 – 市場をリードするクラス最高のパッケージあたりのオン抵抗 : 650 V CoolMOS™ C7シリーズは、600 V CoolMOS™ C7に加えて50 Vのブレークダウン電圧が必要な場合に、力率改善(PFC)などのハードスイッチングアプリケーションで新しいレベルの性能をもたらします。 これは、いくつかの重要なパラメータのバランスをとることにより、負荷範囲全体にわたって効率上の利点を提供します。

600 V CoolMOS™ C7 – ハードエンドおよびハイエンドのソフトスイッチングトポロジー向けの当社の主力CoolMOS™テクノロジー: 600 V CoolMOS™ C7シリーズは、CoolMOS™ CPと比較してターンオフ損失(Eoss)を約50%削減します。 PFC、TTF、その他のハードスイッチング、およびハイエンドLLCトポロジーで卓越したレベルのパフォーマンスを提供し、シリコンMOSFETの使用を次世代の最高効率電源設計に拡張します。

BOM(部品表)コスト重視のアプリケーションでは、C7とTO-247 4ピンパッケージの組み合わせによって得られる全負荷時の効率を利用できます。 これは、MOSFETのRDS(on)を増やして、以前の3ピンパッケージの全負荷効率に一致させることによって行われ、コストの面でメリットが得られます(つまり、70mΩデバイスに対して40mΩ)。 スイッチング周波数を2倍にすることで磁性部品の材料も節約できます。 銅巻線で最大30%、コアで最大45%(使用する材料によって異なります)のコスト削減を達成できます。

650 V CoolMOS™ C7 – 市場をリードするクラス最高のパッケージあたりのオン抵抗 : 650 V CoolMOS™ C7シリーズは、600 V CoolMOS™ C7に加えて50 Vのブレークダウン電圧が必要な場合に、力率改善(PFC)などのハードスイッチングアプリケーションで新しいレベルの性能をもたらします。 これは、いくつかの重要なパラメータのバランスをとることにより、負荷範囲全体にわたって効率上の利点を提供します。

600 V CoolMOS™ C7 – ハードエンドおよびハイエンドのソフトスイッチングトポロジー向けの当社の主力CoolMOS™テクノロジー: 600 V CoolMOS™ C7シリーズは、CoolMOS™ CPと比較してターンオフ損失(Eoss)を約50%削減します。 PFC、TTF、その他のハードスイッチング、およびハイエンドLLCトポロジーで卓越したレベルのパフォーマンスを提供し、シリコンMOSFETの使用を次世代の最高効率電源設計に拡張します。

BOM(部品表)コスト重視のアプリケーションでは、C7とTO-247 4ピンパッケージの組み合わせによって得られる全負荷時の効率を利用できます。 これは、MOSFETのRDS(on)を増やして、以前の3ピンパッケージの全負荷効率に一致させることによって行われ、コストの面でメリットが得られます(つまり、70mΩデバイスに対して40mΩ)。 スイッチング周波数を2倍にすることで磁性部品の材料も節約できます。 銅巻線で最大30%、コアで最大45%(使用する材料によって異なります)のコスト削減を達成できます。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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