これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

CoolMOS™ C7

600 V および 650 V CoolMOS™ C7 および C7  Gold (G7) スーパージャンクション (SJ) MOSFET - インフィニオンの高効率スーパージャンクション MOSFET シリーズ

link

概要

CoolMOS™ 600Vおよび650V C7スーパージャンクションMOSFET

600Vおよび650V CoolMOS™ C7およびC7ゴールド(G7)スーパージャンクション(SJ)MOSFETシリーズは、記録的なレベルの効率性能を達成するように設計されており、ハードスイッチングアプリケーションの全負荷範囲にわたって、以前のシリーズや競合製品と比較して大幅な効率上の利点を提供します。

これは、超低レベルのEoss(CoolMOS™ CPと比較して約50%削減)、QGの削減、およびその他の関連する製品主要パラメーターの慎重なバランスにより、スイッチング損失を最小限に抑えることによって達成されます。また、EossとQGが低いため、より高いスイッチング周波数での動作と、それに伴う回路磁気部品の小型化も可能になります。

CoolMOS™ C7 & C7 Gold (G7) 製品ポートフォリオをご覧ください

CoolMOS™ C7 & C7 Gold (G7)製品ポートフォリオは、より高電力性能重視のアプリケーションを対象としています。 RDS(on)の範囲はかなり連続的であり、19mΩ から230mΩ の間に配置されます。パッケージオプションは、高出力THTと高度なSMDの両方で提供されます。

ベンチマーク効率性能を備えた最新の CoolMOS™ テクノロジー

インフィニオンの600V CoolMOS™ C7は、CoolMOS™ CPと比較してターンオフ損失(Eoss)を~50% 低減し、PFC、TTF、およびその他のハードスイッチングトポロジーでGaN並みの性能を提供します。 効率と総所有コスト(TCO)主導のアプリケーションは、CoolMOS™ C7が提供するより高い効率の恩恵を受けます。PFCで0.3%から0.7%、LLCトポロジーで0.1%の効率の向上を達成でき、エネルギーコストは~10%削減されます。

BOMコスト重視のアプリケーションではC7ピンパッケージとTO-247ピンパッケージの組み合わせによって全負荷時に得られる効率を使用できます。これは、MOSFETのRDS(on)を増やして、以前の3ピンパッケージの全負荷効率に一致させることによって行われ、コストのメリットに繋がります(つまり、 40 mΩ対70 mΩデバイス)。40mΩ対70mΩデバイス)。スイッチング周波数を2倍にすることで磁性部品の材料も節約できます。銅巻線で最大30%、コアで最大45%(材料に依存)のコスト削減を達成できます。

650Vは、設計者に余分な安全マージンを与え、SMPSインバーターとソーラーインバーターの両方に適したものにするために選択されました。最後に、新しい CoolMOS™ C7シリーズは、12年にわたる製造経験の恩恵を受け、インフィニオンの卓越した品質を提供し続けています。

CoolMOS™ 600Vおよび650V C7スーパージャンクションMOSFET

600Vおよび650V CoolMOS™ C7およびC7ゴールド(G7)スーパージャンクション(SJ)MOSFETシリーズは、記録的なレベルの効率性能を達成するように設計されており、ハードスイッチングアプリケーションの全負荷範囲にわたって、以前のシリーズや競合製品と比較して大幅な効率上の利点を提供します。

これは、超低レベルのEoss(CoolMOS™ CPと比較して約50%削減)、QGの削減、およびその他の関連する製品主要パラメーターの慎重なバランスにより、スイッチング損失を最小限に抑えることによって達成されます。また、EossとQGが低いため、より高いスイッチング周波数での動作と、それに伴う回路磁気部品の小型化も可能になります。

CoolMOS™ C7 & C7 Gold (G7) 製品ポートフォリオをご覧ください

CoolMOS™ C7 & C7 Gold (G7)製品ポートフォリオは、より高電力性能重視のアプリケーションを対象としています。 RDS(on)の範囲はかなり連続的であり、19mΩ から230mΩ の間に配置されます。パッケージオプションは、高出力THTと高度なSMDの両方で提供されます。

ベンチマーク効率性能を備えた最新の CoolMOS™ テクノロジー

インフィニオンの600V CoolMOS™ C7は、CoolMOS™ CPと比較してターンオフ損失(Eoss)を~50% 低減し、PFC、TTF、およびその他のハードスイッチングトポロジーでGaN並みの性能を提供します。 効率と総所有コスト(TCO)主導のアプリケーションは、CoolMOS™ C7が提供するより高い効率の恩恵を受けます。PFCで0.3%から0.7%、LLCトポロジーで0.1%の効率の向上を達成でき、エネルギーコストは~10%削減されます。

BOMコスト重視のアプリケーションではC7ピンパッケージとTO-247ピンパッケージの組み合わせによって全負荷時に得られる効率を使用できます。これは、MOSFETのRDS(on)を増やして、以前の3ピンパッケージの全負荷効率に一致させることによって行われ、コストのメリットに繋がります(つまり、 40 mΩ対70 mΩデバイス)。40mΩ対70mΩデバイス)。スイッチング周波数を2倍にすることで磁性部品の材料も節約できます。銅巻線で最大30%、コアで最大45%(材料に依存)のコスト削減を達成できます。

650Vは、設計者に余分な安全マージンを与え、SMPSインバーターとソーラーインバーターの両方に適したものにするために選択されました。最後に、新しい CoolMOS™ C7シリーズは、12年にわたる製造経験の恩恵を受け、インフィニオンの卓越した品質を提供し続けています。

ドキュメント

ドキュメント