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800 V および 900 VのCoolMOS™ C3

800 V および 900 V の CoolMOS™ C3 スーパージャンクション MOSFET

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概要

CoolMOS™ C3デバイスは、スーパージャンクション方式で最初のMOSFETの1つです。これにより、他の高電圧従来型MOSFETと比較してオン抵抗を4分の1に大幅に低減することができました。 CoolMOS™ C3は、導通損失とスイッチング損失を低く抑えています。 CoolMOS™ C3は、従来の高効率スイッチモード電源、産業、再生可能エネルギーアプリケーションに最適です。

主な機能

  • 高速スイッチングのための低ゲート電荷
  • 低導通損失 (RDS(on)*A)
  • 800Vおよび900Vの最適化されたレンジ
  • 高速スイッチングのための低Eoss (@400V)

製品

概要

800 V および 900 V CoolMOS™ C3 SJ MOSFET でシステムをパワーアップ

スーパージャンクション方式で最初のMOSFETの1つであるC3シリーズは、導通損失の大幅な改善をもたらしました。 これはまた、スイッチング速度の向上と相まって、当時のコスト/性能比で比類のないものでした。

900V CoolMOS™ C3 の詳細は、こちらをご覧ください
スイッチング損失と導通損失が低く、消費電力を低減

オン抵抗 (RDS(on)) は、他の900Vの従来型MOSFETに比べて、パッケージタイプあたり4倍以上大幅に低減できます。 また、900V CoolMOS™ C3のFOM (RDS(on)*Qg) は34 Ω・nCと非常に低く、導通損失、駆動損失、スイッチング損失が低くなります。

出力容量に蓄積されるエネルギーは、従来の900 V MOSFETと比較して2分の1に低減され、ハードスイッチターンオン時の電力損失を低減します。

重負荷条件下でも優れた熱特性

900 V CoolMOS™ C3は、高効率スイッチモード電源、産業および再生可能エネルギーアプリケーションに最適です。 設計者がより高いDCリンクまたは入力電圧を許容するため、設計基準の変更が可能です。 最大750 VのDCリンク電圧を持つ3相PFCおよびPWM段を使用する高電力アプリケーションでは、TO-247パッケージで最も低いオン抵抗を提供する900 V CoolMOS™ C3の恩恵を受けることができます。

高いブロッキング電圧と低い導通損失およびスイッチング損失の組み合わせは、LCD-TVやPCシルバーボックスなどで使用される擬似共振フライバックおよびシングルトランジスタフォワードトポロジーの新しい設計基準にも開かれます。 高効率、システムコストの削減、および高電力密度は、将来のシステム開発への道を示しています。

800 V および 900 V CoolMOS™ C3 SJ MOSFET でシステムをパワーアップ

スーパージャンクション方式で最初のMOSFETの1つであるC3シリーズは、導通損失の大幅な改善をもたらしました。 これはまた、スイッチング速度の向上と相まって、当時のコスト/性能比で比類のないものでした。

900V CoolMOS™ C3 の詳細は、こちらをご覧ください

スイッチング損失と導通損失が低く、消費電力を低減

オン抵抗 (RDS(on)) は、他の900Vの従来型MOSFETに比べて、パッケージタイプあたり4倍以上大幅に低減できます。 また、900V CoolMOS™ C3のFOM (RDS(on)*Qg) は34 Ω・nCと非常に低く、導通損失、駆動損失、スイッチング損失が低くなります。

出力容量に蓄積されるエネルギーは、従来の900 V MOSFETと比較して2分の1に低減され、ハードスイッチターンオン時の電力損失を低減します。

重負荷条件下でも優れた熱特性

900 V CoolMOS™ C3は、高効率スイッチモード電源、産業および再生可能エネルギーアプリケーションに最適です。 設計者がより高いDCリンクまたは入力電圧を許容するため、設計基準の変更が可能です。 最大750 VのDCリンク電圧を持つ3相PFCおよびPWM段を使用する高電力アプリケーションでは、TO-247パッケージで最も低いオン抵抗を提供する900 V CoolMOS™ C3の恩恵を受けることができます。

高いブロッキング電圧と低い導通損失およびスイッチング損失の組み合わせは、LCD-TVやPCシルバーボックスなどで使用される擬似共振フライバックおよびシングルトランジスタフォワードトポロジーの新しい設計基準にも開かれます。 高効率、システムコストの削減、および高電力密度は、将来のシステム開発への道を示しています。

ドキュメント

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