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650 V CoolMOS™ CFD7

CoolMOS™スーパージャンクション高耐圧MOSFET - 産業用アプリケーションにおける高効率ソフトスイッチングトポロジーに対応するように調整されたMOSFET

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概要

650V CoolMOS™ スーパージャンクション MOSFET CFD7 ファミリーは、インフィニオンの定評ある CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7 ファミリーの電圧範囲を拡張した製品で、定評のある CoolMOS™ SJ MOSFET CFD2 の後継製品です。 このデバイスは、追加の50Vブレークダウン電圧、内蔵の高速ボディダイオード、改善されたスイッチング性能、および優れた熱挙動によって、ソフトスイッチングアプリケーションで最高の効率と電力密度レベルを実現します。

主な機能

  • 650 V ブレークダウン電圧
  • 超高速ボディダイオードと超低Qrr
  • 最小のRDS(on) 温度変化
  • スイッチング損失の大幅な低減

製品

概要

優れたハード整流の堅牢性と、バス電圧が上昇した設計のための追加の安全マージンによる信頼性の高い動作。 スイッチング周波数を上げるための最速のスイッチングにより、コンバーターの電力密度を高めることができます。 全負荷範囲にわたる産業用SMPSアプリケーションにおける優れた効率。
市場の代替製品と比較した価格競争力

 

CFD7ボディダイオードは、Qrrが50%、Trrが40%、Irrmが20%削減され、(以前のファミリーCFD2と比較して)さらに最適化されており、ターンオン損失が減少しています。 高速整流デバイスの場合、ターンオフ損失は50%以上に低減されており、全負荷範囲にわたってより平坦な効率曲線に貢献しています。 全負荷での動作に関連する高温に対するRDS(on)抵抗の感度を下げることで、さらなる損失の減少が達成されます。

たとえば、EV充電アプリケーションでは、CFD7はCFD2または最も近い競合他社のデバイスで見られるものよりも5〜2度低く動作し、ケルビンソースパッケージの使用によってさらなる動作温度の低減を実現します。 3kWのサーバー電源では、CFD7を使用することで損失を10%削減(デバイスのみに起因)し、長期的なエネルギーを大幅に節約できます。

CFD7ポートフォリオは、17〜190mΩの範囲のオン抵抗で高粒度の最先端のスーパージャンクション650V MOSFETを提供します。 3つのスルーホールパッケージ (ケルビンソースTO247など) と、ThinPAK 8x8などの3つの表面実装ロープロファイルパッケージが提供されます。 ポートフォリオは、高出力アプリケーション向けの一般的な上面放熱QDPAKによって完成されます。

優れたハード整流の堅牢性と、バス電圧が上昇した設計のための追加の安全マージンによる信頼性の高い動作。 スイッチング周波数を上げるための最速のスイッチングにより、コンバーターの電力密度を高めることができます。 全負荷範囲にわたる産業用SMPSアプリケーションにおける優れた効率。
市場の代替製品と比較した価格競争力

 

CFD7ボディダイオードは、Qrrが50%、Trrが40%、Irrmが20%削減され、(以前のファミリーCFD2と比較して)さらに最適化されており、ターンオン損失が減少しています。 高速整流デバイスの場合、ターンオフ損失は50%以上に低減されており、全負荷範囲にわたってより平坦な効率曲線に貢献しています。 全負荷での動作に関連する高温に対するRDS(on)抵抗の感度を下げることで、さらなる損失の減少が達成されます。

たとえば、EV充電アプリケーションでは、CFD7はCFD2または最も近い競合他社のデバイスで見られるものよりも5〜2度低く動作し、ケルビンソースパッケージの使用によってさらなる動作温度の低減を実現します。 3kWのサーバー電源では、CFD7を使用することで損失を10%削減(デバイスのみに起因)し、長期的なエネルギーを大幅に節約できます。

CFD7ポートフォリオは、17〜190mΩの範囲のオン抵抗で高粒度の最先端のスーパージャンクション650V MOSFETを提供します。 3つのスルーホールパッケージ (ケルビンソースTO247など) と、ThinPAK 8x8などの3つの表面実装ロープロファイルパッケージが提供されます。 ポートフォリオは、高出力アプリケーション向けの一般的な上面放熱QDPAKによって完成されます。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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