これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

概要

シリコン オン インシュレーター (SOI) およびジャンクション アイソレーション (JI) 製品を含みます。 インフィニオンは、低電圧 (24 V、36 V、48 V) および中電圧 (60 V、80 V、100 V、120 V) のモーター制御アプリケーション向けにカスタマイズされたゲートドライバーICを提供しています。 インフィニオンは、低電圧および中電圧モータ制御アプリケーション向けの三相、ハーフブリッジ、またはハイサイドおよびローサイドドライバーを含む、200Vレベルシフトゲートドライバの包括的なポートフォリオを提供しています。

主な機能
  • 低い静止電流
  • さまざまな入力オプション
  • 標準ピン配置およびパッケージ
  • SOI および JI オファリングを含む
アプリケーション
マルチコプターとドローン
コードレス電動工具
ワイヤレス充電
モーター制御
家庭用ロボット

製品

概要

EiceDRIVER™ 200V接合絶縁型レベルシフトゲートドライバーIC

IRS200xファミリーは、当社の高度な接合絶縁高電圧IC技術を利用して、コンパクトで効率的で堅牢なモノリシック構造を実現します。

IRS2005/7/8ファミリーは、VCCおよびVBS UVLO保護を備えた4つのデバイスで構成されています。IRS2007とIRS2008には、デッドタイムとシュートスルー保護が統合されています。200 Vデバイスは静止電流が低いことを特長としています。IRS2008はシャットダウン入力ピンも備えています。

IRS2005/7/8 200 Vデバイスは、8ピンDSO-8または14ピン4 x 4mm VQFN14パッケージ (IRS2005M) で提供され、さまざまなロジック入力オプションと標準ピン配置構成により、高い設計柔軟性と市場投入までの時間を短縮します。すべてのデバイスはMSL2認定済みです。

IRS2005 IRS2001を置き換えます。

IRS2007 IRS2003を置き換えることができます。

IRS2008 IRS2004を置き換えることができます。

IRS2001、IRS2003、IRS2004は新しいデザインには推奨されません

EiceDRIVER™ 200 V Silicon on InsulatorレベルシフトゲートドライバーIC

三相製品ファミリー (6EDL04N02PR、6ED003L02-F2) は、インフィニオン独自のSOIレベルシフト技術を採用し、業界をリードする負のVS耐性とレベルシフト損失の低減により、機能絶縁を提供します。 BSDを内蔵したソリューションも利用でき、BOMコストを削減し、レイアウトを簡素化し、PCBサイズを縮小します。

6EDxxxx三相デバイスは、実装面積の小さいTSSOP-28パッケージ(6EDL04N02PR)で供給されます。

EiceDRIVER™ 160 V Silicon on InsulatorレベルシフトゲートドライバーIC

160V SOIファミリーには、コンパクトな3ph、ハーフブリッジ、強力な-VS耐性を備えたハイサイドおよびローサイド・ドライバ、およびパワーツール、ロボティクス、LEVなどのさまざまなバッテリ駆動アプリケーションで堅牢で低コストの設計を実現する統合ブートストラップ・ダイオードが含まれています。2ch部品は3x3mm VSON10パッケージで提供され、VccおよびVbピン用のさまざまなUVLOを提供し、1A/2Aから最大4A/8Aまでの電流を駆動します。3phの6ED2742S01Qは、トリクルチャージポンプによる100%デューティサイクル動作をサポートします。保護機能には、低電圧保護、閾値設定可能な過電流保護、フォールト通信、自動フォールトクリアを備えています。出力ドライバは、ドライバの交差導通を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファ段を備えています。
選択可能なゲインを備えた電流検出オペアンプ(CSA)がVSSとCOMの間に内蔵されています。主な利点は、とりわけ、高速で信頼性の高いスイッチング、異常動作時の保護、デバイスの信頼性の向上、動作ヘッドルーム、低コストのブートストラップ電源、BOMの節約、使いやすさ、簡単な設計、市場投入までの時間の短縮、BOMコストの削減、よりシンプルな設計で低コストでPCBの小型化、信頼性向上のための負のVS堅牢性の向上です。

EiceDRIVER™ 200V接合絶縁型レベルシフトゲートドライバーIC

IRS200xファミリーは、当社の高度な接合絶縁高電圧IC技術を利用して、コンパクトで効率的で堅牢なモノリシック構造を実現します。

IRS2005/7/8ファミリーは、VCCおよびVBS UVLO保護を備えた4つのデバイスで構成されています。IRS2007とIRS2008には、デッドタイムとシュートスルー保護が統合されています。200 Vデバイスは静止電流が低いことを特長としています。IRS2008はシャットダウン入力ピンも備えています。

IRS2005/7/8 200 Vデバイスは、8ピンDSO-8または14ピン4 x 4mm VQFN14パッケージ (IRS2005M) で提供され、さまざまなロジック入力オプションと標準ピン配置構成により、高い設計柔軟性と市場投入までの時間を短縮します。すべてのデバイスはMSL2認定済みです。

IRS2005 IRS2001を置き換えます。

IRS2007 IRS2003を置き換えることができます。

IRS2008 IRS2004を置き換えることができます。

IRS2001、IRS2003、IRS2004は新しいデザインには推奨されません

EiceDRIVER™ 200 V Silicon on InsulatorレベルシフトゲートドライバーIC

三相製品ファミリー (6EDL04N02PR、6ED003L02-F2) は、インフィニオン独自のSOIレベルシフト技術を採用し、業界をリードする負のVS耐性とレベルシフト損失の低減により、機能絶縁を提供します。 BSDを内蔵したソリューションも利用でき、BOMコストを削減し、レイアウトを簡素化し、PCBサイズを縮小します。

6EDxxxx三相デバイスは、実装面積の小さいTSSOP-28パッケージ(6EDL04N02PR)で供給されます。

EiceDRIVER™ 160 V Silicon on InsulatorレベルシフトゲートドライバーIC

160V SOIファミリーには、コンパクトな3ph、ハーフブリッジ、強力な-VS耐性を備えたハイサイドおよびローサイド・ドライバ、およびパワーツール、ロボティクス、LEVなどのさまざまなバッテリ駆動アプリケーションで堅牢で低コストの設計を実現する統合ブートストラップ・ダイオードが含まれています。2ch部品は3x3mm VSON10パッケージで提供され、VccおよびVbピン用のさまざまなUVLOを提供し、1A/2Aから最大4A/8Aまでの電流を駆動します。3phの6ED2742S01Qは、トリクルチャージポンプによる100%デューティサイクル動作をサポートします。保護機能には、低電圧保護、閾値設定可能な過電流保護、フォールト通信、自動フォールトクリアを備えています。出力ドライバは、ドライバの交差導通を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファ段を備えています。
選択可能なゲインを備えた電流検出オペアンプ(CSA)がVSSとCOMの間に内蔵されています。主な利点は、とりわけ、高速で信頼性の高いスイッチング、異常動作時の保護、デバイスの信頼性の向上、動作ヘッドルーム、低コストのブートストラップ電源、BOMの節約、使いやすさ、簡単な設計、市場投入までの時間の短縮、BOMコストの削減、よりシンプルな設計で低コストでPCBの小型化、信頼性向上のための負のVS堅牢性の向上です。

ドキュメント

ドキュメント

ニュースおよびハイライト

インフィニオンのSOIゲートドライバ技術の利点

1200Vシリコン・オン・インシュレーターは、マーケットリーダーのレベルシフト・ゲート・ドライバーです。このビデオでは、インフィニオンのSOIを使用した製品の利点を紹介しています。例:ブートストラップダイオードを内蔵し、レベルシフト損失が少ないため、スペースとコストを節約できます。

インフィニオンのゲートドライバーの紹介

ゲートドライバーとは?ゲートドライバーを使用する理由ゲートドライバーの使い方は?紹介ビデオを見て、ゲートドライバーのエキスパートになりましょう。