Infineon unterzeichnet Lieferabkommen mit Wolfspeed über 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer und stärkt damit Resilienz der Lieferkette

Wirtschaftspresse

Oct 15, 2026
  • Mehrjährige Vereinbarung mit Wolfspeed unterstützt die Umstellung der Siliziumkarbid (SiC)-Fertigung von Infineon von 150 Millimeter auf 200 Millimeter
  • Erweiterte Beschaffung von Substraten stärkt Resilienz der Lieferkette und erhöht Flexibilität für zukünftiges Wachstum
  • Vereinbarung unterstützt steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und Stromversorgung für KI-Rechenzentren

München, Deutschland / Durham, USA – 15. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG und Wolfspeed haben eine neue mehrjährige Liefervereinbarung für 200-mm-Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer unterzeichnet. Damit wird die bestehende Lieferbeziehung mit Wolfspeed von der 150-mm- auf die 200-mm-Substrattechnologie umgestellt. SiC-Halbleiter haben sich zu einer Schlüsseltechnologie für Anwendungen entwickelt, die die globale Dekarbonisierung vorantreiben, von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen bis hin zur Stromversorgung von KI-Rechenzentren. Das Abkommen unterstützt die Umstellung von Infineon auf die 200-mm-SiC-Fertigung, stärkt die Position des Unternehmens als weltweit führender Anbieter von Leistungshalbleitern und festigt die Resilienz der Lieferkette sowie die SiC-Wachstumsstrategie des Unternehmens.

„Siliziumkarbid steht im Zentrum der Energiewende. Die Sicherstellung einer zuverlässigen Versorgung mit hochwertigen 200-mm-Substraten ist entscheidend, um unsere langfristigen Verpflichtungen gegenüber unseren Kunden zu erfüllen“, sagt Alexander Gorski, Chief Operations Officer von Infineon. „Die Vereinbarung erweitert unsere etablierte Lieferantenbasis für die 200-mm-Hochvolumenfertigung und baut auf einer 20-jährigen Lieferbeziehung zwischen unseren beiden Unternehmen auf. Sie stärkt die Versorgungssicherheit für unsere Kunden und schafft zusätzliche Flexibilität und Skalierbarkeit, um das künftige Wachstum von Infineon zu unterstützen.“  

KI-Rechenzentren entwickeln sich zunehmend zu einem bedeutenden Nachfragetreiber für SiC-Leistungshalbleiter. Die Effizienz der Stromumwandlung entlang der gesamten Energieversorgungskette von Rechenzentren ist ein wesentlicher Kostenfaktor für Hyperscaler, die Infrastrukturen in großem Maßstab betreiben. Aufgrund seiner Schalteffizienz und thermischen Eigenschaften ist SiC besonders geeignet für bestimmte Stromumwandlungsstufen, in denen Silizium an seine praktischen Grenzen stößt. Zusammen mit der zunehmenden Verbreitung von SiC in Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen, Solarwechselrichtern und industriellen Motorsteuerungen stützen diese Entwicklungen die positiven langfristigen Aussichten für hochwertige 200-mm-SiC-Substrate. 

Der Übergang zu 200-mm-SiC-Wafern bietet gegenüber der 150-mm-Produktion erhebliche wirtschaftliche Vorteile. Der größere Waferdurchmesser erhöht die nutzbare Chipfläche pro Wafer, senkt die Substratkosten pro Einheit und verbessert die Gesamteffizienz der Fertigung. Infineon verfolgt eine Multi-Sourcing-Strategie für SiC-Substrate, um Flexibilität und Qualität der Lieferkette innerhalb seines globalen Produktionsnetzwerks sicherzustellen. Dazu gehört auch die hochmoderne 200-mm-SiC-Fabrik des Unternehmens in Kulim, Malaysia, die als weltweit größte und wettbewerbsfähigste Siliziumkarbid-Produktionsstätte konzipiert ist.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Alexander Gorski, Chief Operations Officer bei Infineon

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