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RoHS準拠
鉛フリー

SPW55N80C3

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EA.
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SPW55N80C3
SPW55N80C3
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    54.9 A
  • ID (@25°C) (最大)
    54.9 A
  • IDpuls (最大)
    150 A
  • Ptot (最大)
    500 W
  • QG
    288 nC
  • QG (typ @10V)
    288 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    85 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    85 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.25 K/W
  • Rth
    0.25 K/W
  • VDS (最大)
    800 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.1 V ～ 3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO247
  • 予算価格€/ 1k
    7.25
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
SPW55N80C3FKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7 800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.

特長

  • Low resistance (RDS(on)*A)
  • Minimal Eoss @400V in O/P
  • Low gate charge (Qg)
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ tech manufactured by since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • higher power density
  • higher efficiency
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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