新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

SPW47N60CFD

データシート
パッケージ

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SPW47N60CFD
SPW47N60CFD
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    46 A
  • ID max
    46 A
  • IDpuls max
    118 A
  • Ptot max
    417 W
  • QG
    248 nC
  • QG (typ @10V)
    248 nC
  • RDS (on) max
    80 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    80 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.3 K/W
  • Rth
    0.3 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3 V to 5 V
  • パッケージ
    TO247
  • 予算価格€/ 1k
    6.26
  • 動作温度 min
    -55 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
SPW47N60CFDFKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V CoolMOS™ CFD series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Replacement for CoolMOS™ CFD is 600V CoolMOS™ CFD7  
 
Characteristics and applications of CoolMOS ™ CFD2
Improved cost performance, light load efficiency and ease-of-use in EMI and low voltage overshoot. Soft switching resonant topologies with hard commutation requirements requiring a fast body diode.

機能

  • Fourth series of CoolMOS™ market entry in 2004
  • Fast Body Diode, Qrr 1/10th of C3 series, Vth 4 V, g fs high, Rg low
  • Specific for phase-shift ZVS and DC-AC power applications

利点

  • Improved efficiency
  • More efficient, more compact, lighter and cooler
  • Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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