SPP11N65C3

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SPP11N65C3
SPP11N65C3

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    11 A
  • ID (最大)
    11 A
  • IDpuls (最大)
    33 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG
    45 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (最大)
    400 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    400 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1 K/W
  • Rth
    1 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.9 V
  • パッケージ
    TO-220
  • モード
    Enhancement
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
650V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. Replacement for 650V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7 .

特長

  • Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V
  • Low gate charge (Qg)
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

利点

  • High efficiency and power density
  • Outstanding cost/performance
  • High reliability
  • Ease-of-use

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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