Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S80KS5122GABHV023

データシート
パッケージ

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S80KS5122GABHV023
S80KS5122GABHV023
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-2
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.7 V ～ 2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S80KS5122GABHV023
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S80KS5122GABHV023は512 MbのHYPERRAM™自己リフレッシュDRAMで、1.8 V専用HYPERBUS™（8ビットDQ、RWDS、CS#、RESET#）を搭載。DDRで最大200 MHz、400 MBps、最大アクセス35 ns。リニア/ラップバースト（16～128バイト）を設定可能。VCCは1.7 V～2.0 V、105°C時ディープパワーダウン30 µA。GA品種、24ボールFBGA。

特長

  • HyperBusインターフェース
  • VCC 1.7 V~2.0 V
  • 単端/差動クロック入力
  • 8-bit DDRバス+ RWDS
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大400 MBpsスループット
  • 最大アクセス時間tACC 35 ns
  • バースト: 線形/ラップ
  • ラップ16/32/64/128バイト
  • 待機時はI/O信号を無視
  • tACC+30 ns後にクロック停止
  • ハイブリッドスリープでデータ保持

利点

  • 400 MBpsで高速バッファ
  • DDRでピン当たり帯域向上
  • 1.8 Vで低電圧SoCに適合
  • RWDSでタイミング設計を簡素化
  • 線形バーストでストリーム転送
  • ラップでキャッシュライン転送
  • 待機でアイドル電力を削減
  • クロック停止で停止時の消費削減
  • ハイブリッドスリープで内容保持
  • 3 usで低コスト移行
  • 100 usで高速復帰
  • ディープパワーダウンで漏れ低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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