S80KS2563GABHV020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S80KS2563GABHV020

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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S80KS2563GABHV020
S80KS2563GABHV020
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    xSPI (Octal)
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-3
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S80KS2563GABHV020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S80KS2563GABHV020は256 MbのHYPERRAM自己リフレッシュDRAMで、Octal xSPI（8-bit DQ＋RWDS）によりDDR転送で最大200 MHz、400 MB/sに対応します。電源は1.7 V～2.0 Vで、Industrial Plusの-40°C～+105°C設計向けです。リニア/ラップバースト（16～128バイト）、部分アレイリフレッシュ、インターフェース待機、15 µAディープパワーダウンを備えます。

特長

  • オクタルxSPI, DDR対応
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大400 MBps(3,200 Mbps)
  • 8ビットDQ[7:0]データバス
  • RWDS:ストローブ/書込マスク
  • 差動クロックCK/CK#対応
  • ハードリセットRESET#
  • バースト16-128 B選択
  • ハイブリッド:ラップ後リニア
  • ハイブリッドスリープ保持
  • ディープPDでリフレッシュ停止
  • VCC 1.7 V2.0 V

利点

  • DDRオクタルでピン数削減
  • 400 MBpsで帯域を強化
  • 200 MHzで高速xSPIに対応
  • RWDSでDDRタイミング余裕
  • 差動クロックで信号品質向上
  • RESET#で復帰を確実化
  • バースト選択でバス効率向上
  • ハイブリッドがキャッシュライン適合
  • ハイブリッドスリープで保持し省電力
  • ディープPDで待機電流低減
  • 低VCCでシステム消費低減
  • ESD定格で取扱い余裕

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ