S70KL1281DABHI023

High-Performance 128 MBit HYPERRAM with 40ns Initial Access Time and 200 MByte/s Interface Bandwidth
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S70KL1281DABHI023
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Product details

  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KL-1
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    40 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERRAM
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The Cypress® HyperRAM™ device is a high-speed CMOS DRAM with a HyperBus interface. The 128 Mb version is a dual-die stack of 64 Mb devices. With refresh control logic, it resembles PSRAM to the host, eliminating the need for manual refresh operations. The host should manage transaction duration to accommodate internal refresh needs.

機能

  • 3.0 V I/O, 11 bus signals:Single ended clock (CK)
  • 1.8 V I/O, 12 bus signals: Differential clock (CK, CK#)
  • Chip Select (CS#)
  • 8-bit data bus (DQ[7:0])
  • Read-Write Data Strobe (RWDS)
  • RWDS DCARS Timing
  • Double-Data Rate (DDR)
  • 100 MHz clock rate (200 MBps) at 3.0 V VCC
  • Sequential burst transactions 
  • Configurable Burst Characteristics

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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