S70KL1281DABHI023

S70KL1281DABHI023

High-Performance 128 MBit HYPERRAM with 40ns Initial Access Time and 200 MByte/s Interface Bandwidth

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70KL1281DABHI023
S70KL1281DABHI023


製品仕様情報

  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KL-1
  • メモリ容量
    128 MBit
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    40 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.3 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERRAM

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S70KL1281DABHI023はMCU/SoCのバッファメモリ向け128 Mb（16 MB）HyperRAMセルフリフレッシュDRAMで、8ビットDQ、CS#、CK（シングルエンド/差動）、RWDSの低信号数DDRインターフェースを採用。最大100 MHz（200 MBps）、tACC最大36 ns。電源2.7 V73.6 V、-4078560C（産業用）、24ボール575 FBGA、モデル02、テープ&リール。

特長

  • HyperRAM低信号数IF
  • 8ビットDDRデータDQ[7:0]
  • I/O信号11/12本
  • 1.8 Vで最大166 MHz
  • 3.0 Vで最大100 MHz
  • 最大333 MBps帯域
  • RWDSストローブ/マスク
  • ラップ16/32/64/128B
  • リニア/ハイブリッドバースト
  • ディープパワーダウンDPD
  • 電源1.7 V1.95 V
  • 電源2.7 V3.6 V

利点

  • 並列DRAMよりMCUピン削減
  • DDRでクロック当たり高スループット
  • 配線本数を減らし実装容易
  • 166 MHzで高速リード対応
  • 100 MHzで3.0 Vホスト適合
  • 333 MBpsで高品位HMIを実現
  • RWDSでタイミング容易+マスク
  • バーストでバス効率最適化
  • リニアはストリーミング向き
  • DPDで待機時の消費電力低減
  • 1.8 V電源許容で電源簡素化
  • 3.0 Vでレガシー電源に対応

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ