S70FS01GSAGBHI210
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70FS01GSAGBHI210

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S70FS01GSAGBHI210
S70FS01GSAGBHI210
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • メモリ容量
    1 GBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S70FS01GSAGBHI210
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
S70FS01GSAGBHI210は65 nm MirrorBit™技術を採用した1 Gb（128 MB）デュアルダイSPI NORフラッシュメモリで、Eclipseアーキテクチャにより高速プログラム・消去を実現。最大133 MHzとDDR対応のマルチI/O SPI、1.7 V～2.0 V動作、最大125°C（AEC-Q100 Grade 1）車載温度範囲に対応。512バイトページプログラム、ハイブリッドまたはユニフォームセクター消去、内部ECC、高度な保護、20年データ保持を備え、コード格納、XIP、信頼性と省スペースが求められる組込み用途に最適です。

特長

  • マルチI/O SPI対応
  • クロック極性・位相モード0/3対応
  • DDR/SDRコマンド対応
  • 24/32ビットアドレス選択
  • S25FL1-K/P/S互換
  • ノーマル/高速/デュアル/クワッド/DDR読
  • バースト/QPIモード対応
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/均一セクタ消去
  • セクタ10万回書換保証
  • データ20年保持
  • 単一電源1.7 V～2.0 V

利点

  • マルチI/Oで高速データ転送
  • DDR/SDRで速度選択自在
  • 24/32ビットで大容量対応
  • 互換性で移行容易
  • 多様な読出しで性能最適化
  • QPIでクワッド転送高速化
  • ECCで信頼性向上
  • ハイブリッド/均一消去で柔軟運用
  • 高耐久で頻繁な更新対応
  • 長期データ保持
  • 低電圧で省電力
  • 広温度で過酷環境対応

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ