Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S70FL01GSAGBHBC10

データシート
パッケージ
ソフトウェア
EA.
在庫あり

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S70FL01GSAGBHBC10
S70FL01GSAGBHBC10
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S70FL01GSAGBHBC10
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15078)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S70FL01GSAGBHBC10はInfineon 65 nm MirrorBit®技術を採用した1 Gbit（128 Mbyte）FL-Sフラッシュメモリで、デュアルダイスタック構成です。最大133 MHzのSPIマルチI/Oインターフェース、各種リードモード、2.7 V～3.6 V動作に対応。10万回の書き換え、20年データ保持、256 kB均一セクタ、先進的なセクタ保護、AEC-Q100認証を特長とし、車載・産業・組み込みの高信頼性用途に最適です。

機能

  • デュアルダイスタック構造
  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • DDR/SDRモード対応
  • 32ビット拡張アドレス
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 均一256 KBセクタ
  • 10万回書換保証
  • 20年データ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • ブロック保護と高度なセクタ保護
  • コア電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65-3.6 V

利点

  • 1 Gbit高密度ストレージ実現
  • 柔軟なインターフェース
  • DDRで高速転送
  • 大容量アドレス空間
  • 高速プログラムで効率化
  • メモリ管理が容易
  • 頻繁な書換も信頼性維持
  • 長期データ保持
  • 機密データ保護
  • 誤消去防止
  • 3 Vシステム対応
  • 柔軟なI/Oで統合容易

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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