Active and preferred
RoHS準拠

S29GL128S90DHI020

EA.
在庫あり

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S29GL128S90DHI020
S29GL128S90DHI020
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    90 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL128S90DHI020
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15537)
包装サイズ 1300
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15537)
包装サイズ 1300
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S29GL128S90DHI020はInfineon MIRRORBIT™ Eclipse 65 nm技術を採用した128 Mb並列NORフラッシュメモリで、16ビットデータバスと128 kB均一セクタを備えます。動作電圧は2.7 V~3.6 V、I/Oは1.65 V~VCC対応。ランダムアクセス90 ns、ページアクセス15 ns。512バイトプログラミングバッファ、内部ECC、セクタ保護、OTP領域を搭載。各セクタ耐久性10万回P/Eサイクル、データ保持最大20年。

機能

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術
  • CMOS 3.0 Vコアと多様なI/O
  • 単一電源で動作(2.7 V~3.6 V)
  • I/O電圧範囲1.65 V~VCC
  • 16ビットデータバス
  • 非同期32バイトページリード
  • 512バイト書き込みバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • 128 KB均一セクタ
  • プログラム/消去中断対応
  • 高度なセクタ保護(ASP)
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 電源設計が簡単
  • 広いI/O電圧対応
  • 16ビットバスで高速転送
  • ページリードで高速アクセス
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCでデータ保護強化
  • セクタ管理が容易
  • プログラム/消去中断可能
  • 強力なデータ/セクタ保護
  • OTPで永久データ保存

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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