Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S29GL064S70FHI013

EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL064S70FHI013
S29GL064S70FHI013
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    -
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    70 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL064S70FHI013
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1600
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1600
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S29GL064S70FHI013はMIRRORBIT™技術を採用した64 Mb並列NORフラッシュメモリで、単一3.0 V電源と1.65 V~3.6 VのI/O電圧に対応。70 nsアクセス、1ビットECC補正、先進のセクタ保護機能を備えています。各セクタの消去回数は10万回、データ保持は20年。セキュアシリコン領域で永久的な保護が可能。AEC-Q100およびJEDEC準拠。自動車、産業、組込用途のコードストレージに最適です。

機能

  • 3.0 V単一電源動作
  • 65 nm MIRRORBIT™プロセス
  • 16ビット/8・16ビットバス
  • 70 nsアクセス, 15 nsページ読出
  • 8ワード/16バイトページバッファ
  • 128ワード/256バイト書込バッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • 高度なセクタ保護(永続/パスワード)
  • 1セクタ10万回消去
  • 20年データ保持(標準)
  • 自動スリープ・待機モード
  • JEDEC CFI・コマンド互換

利点

  • 3.0 Vで電源設計が容易
  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なバスで設計自由度
  • 高速アクセスで性能向上
  • ページバッファで高速読出
  • 書込バッファで書込短縮
  • ECCでデータ保護
  • 多段階保護で安全性向上
  • 高耐久で保守コスト削減
  • 長期保持で重要データ保護
  • 省電力で電池寿命延長
  • JEDEC互換で統合容易

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }