Active and preferred
RoHS準拠

S29GL01GS11TFV013

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    110 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL01GS11TFV013
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL01GS11TFV013は1 Gb MIRRORBIT™ Eclipseフラッシュメモリで、パラレルインターフェースと3.0 Vコア、1.65 V~VCCの多様なI/Oを備えています。ランダムアクセスは最速110 ns、ページアクセスは最短15 ns、512バイトプログラミングバッファで効率的な書き込みが可能。128 kB均一セクター、内部ECCによる単ビット誤り訂正、高度なセクター保護で信頼性を強化。-40°C~+105°C動作、AEC-Q100 Grade 2規格準拠、10万回の書き換えと20年データ保持に対応。自動車ECU、産業用コントローラー、高密度ストレージを必要とする組込みシステムに最適です。

機能

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術
  • CMOS 3.0 Vコアと多様なI/O
  • 単一電源で動作(2.7 V~3.6 V)
  • I/O電圧範囲1.65 V~VCC
  • 16ビットデータバス
  • 非同期32バイトページリード
  • 512バイト書き込みバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • 128 KB均一セクタ
  • プログラム/消去中断対応
  • 高度なセクタ保護(ASP)
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 電源設計が簡単
  • 広いI/O電圧対応
  • 16ビットバスで高速転送
  • ページリードで高速アクセス
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCでデータ保護強化
  • セクタ管理が容易
  • プログラム/消去中断可能
  • 強力なデータ/セクタ保護
  • OTPで永久データ保存

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }