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S29AL008J70TFI010

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製品仕様情報

  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    AL-J
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    70 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29AL008J70TFI010
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-48 (51-85183)
包装サイズ 960
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-48 (51-85183)
包装サイズ 960
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29AL008J70TFI010は8 Mbit、3 Vブートセクタフラッシュメモリで、産業用途向けに設計され、最大70 nsのアクセス速度と2.7 V~3.6 V単一電源動作を実現。トップブートセクタ構成、CFI対応、高度なセクタ保護、超低消費電力(スタンバイ0.2 µA、読み出し7 mA)を備え、48ピンTSOPパッケージで提供。100万回の耐久性と20年のデータ保持で、組み込みコード保存に最適です。

機能

  • 単一2.7–3.6 V動作
  • 8 Mbit容量、x8/x16構成
  • 55 ns高速アクセス
  • 110 nmプロセス技術
  • セキュアID領域搭載
  • 柔軟なセクタ構成
  • セクタグループ保護/解除
  • アンロックバイパスで高速書込
  • 超低消費:0.2 µA待機/スリープ
  • 100万回/セクタ書換
  • 20年データ保持
  • JEDECコマンド互換

利点

  • 電源設計が簡単
  • 高速システム動作が可能
  • デバイス認証が強化
  • 柔軟なデータ管理
  • データ消失を防止
  • 書込時間を短縮
  • 待機電力を大幅削減
  • 頻繁な更新も安心
  • 長期データ保持
  • システム統合が容易
  • 標準プログラマ対応
  • システムエラー低減

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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