S26KL256SDABHI030
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

S26KL256SDABHI030

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S26KL256SDABHI030
S26KL256SDABHI030


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KL-S
  • メモリ容量
    256 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Industrial

OPN
S26KL256SDABHI030
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 1690
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 1690
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S26KL256SDABHI030は256 Mb(32 MB)のHYPERFLASH™ NORフラッシュメモリで、高速HYPERBUS™ DDRインターフェースと3.0 V単一電源動作を特長とします。最大100 MHzクロック、96 ns初期ランダムリード、200 MBpsの持続スループットに対応。自動車・産業用途向けでAEC-Q100 Grade 2(-40°C~+105°C)およびISO/TS16949認証取得。256 KB均一セクタ、高度なセクタ保護、ECC、低消費スタンバイモードを備え省エネに貢献します。

特長

  • 8ビットデータバス
  • HYPERBUS™インターフェース
  • 最大333 MBps持続読出し
  • DDR:1クロック2回データ転送
  • 1.8 V時166 MHzクロック
  • 3.0 V時100 MHzクロック
  • 96 ns初期ランダムアクセス
  • 可変バースト長:16/32/64バイト
  • 低消費電力:待機25 µA、深パワーダウン8 µA
  • ECC:1ビット訂正2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域(1024バイトOTP)

利点

  • 高速データアクセスで高性能化
  • 柔軟なIFで多様な設計に対応
  • 高速DDRでスループット向上
  • 多様なバースト長で転送最適化
  • 低消費電力で電池長寿命
  • ECCでデータの完全性確保
  • CRCで伝送エラー検出
  • セキュア領域で認証実現
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 8ビットバスで統合容易
  • 出力ドライブ調整で信号最適化
  • 過酷環境でも信頼動作

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ