Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26HS02GTFPBHB050

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S26HS02GTFPBHB050
S26HS02GTFPBHB050

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    2 GBit
  • NPSGに発行
    N
  • PSGに発行
    N
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S26HS02GTFPBHB050
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-24801)
包装サイズ 520
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-24801)
包装サイズ 520
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S26HS02GTFPBHB050は2 Gb SEMPER™ NORフラッシュメモリで、Infineonの45 nm MIRRORBIT™技術を採用し、24ボールBGAパッケージで提供されます。動作電圧は1.8 V、HYPERBUS™および従来のSPIインターフェースに対応し、DDRモードで166 MHz時に最大332 MBpsのデータレートを実現。自動車や産業用途向けで、AEC-Q100 Grade 1(-40°C~125°C)およびISO 26262 ASIL-B/D準拠。柔軟なセクター構造と高度なECCで高い安全性と信頼性を提供します。

機能

  • MIRRORBIT技術で1セル2ビット保存
  • HYPERBUS DDR最大332 MBps対応
  • JEDEC JESD251 xSPI準拠
  • レガシーSPI(SDR最大21 MBps)
  • 柔軟なセクタ構成:均一/ハイブリッド
  • ページ書込バッファ256/512バイト
  • OTPセキュア領域1024バイト
  • 機能安全ISO26262 ASIL B対応
  • インターフェース・データCRC
  • 内蔵ECC:SECDED対応
  • 高度なセクタ保護
  • CS#またはRESET#でハードリセット

利点

  • 2ビット/セルで高密度化
  • 332 MBps DDRで高速データ取得
  • xSPI準拠で広範な互換性
  • デュアルIFで設計容易
  • 柔軟なセクタで多用途対応
  • 大容量バッファで高速書込
  • OTP領域で機密データ保護
  • 機能安全で車載用途に最適
  • CRC/ECCで信頼性向上
  • セクタ保護で誤消去防止
  • ハードリセットで堅牢性向上

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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