S25HS512TFABHI013

データシート

パッケージ

S25HS512TFABHI013

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2037
Density

512 MBit
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

166 / 102
インターフェース帯域幅

102 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

HS-T
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 2 V
動作電圧

1.8 V
認定

Industrial

	推奨
OPN	S25HS512TFABHI013
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ	2500
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ	2500
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

S25HS512TFABHI013は、HS-Tファミリーに属する512 MbitのSEMPER™ NORフラッシュで、クアッドSPI経由でのコード保存およびインプレース実行に対応しています。動作電圧は1.7 V～2.0 V、動作温度範囲は-40℃～85℃ (産業用) で、166 MHz SDRおよび102 MHz DDRの読み出しに対応し、最大102 MByte/sです。MIRRORBIT™テクノロジー、ECC (SECDED) 、CRC、SafeBoot、および柔軟なセクターオプションにより、組込みシステムにおける高いデータ整合性と信頼性の高いブートを実現します。

特長

45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
均一またはハイブリッドセクターアーキテクチャ
256 KBセクター＋32×4 KBセクター
256 Bまたは512 Bプログラムバッファ
クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
16バイトデータ単位に対するハミングECC
SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
メモリアレイデータ整合性CRC
Endurance Flexウェアレベリング
ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

高密度化によりボード面積を削減
ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
高速書き込みにより更新時間を短縮
柔軟なホストインターフェースをサポート
高速読み出しによりコードフェッチを高速化
ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
安全のため、ダブルビット故障を検出
CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
セクターごとのロックにより改ざんを防止
SSRによりIDとセキュアストレージが可能

用途

デザインリソース

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特長

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ドキュメント

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