S25HS01GTDPBHI030

データシート

パッケージ

S25HS01GTDPBHI030

EA.

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2037
Density

1 GBit
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

133 / 66
インターフェース帯域幅

66 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

HS-T
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 2 V
動作電圧

1.8 V
認定

Industrial

	推奨
OPN	S25HS01GTDPBHI030
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	BGA-24 (002-22282)
包装サイズ	1300
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:		EA. 個の在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	BGA-24 (002-22282)
包装サイズ	1300
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

EA.

個の在庫あり

S25HS01GTDPBHI030は、クアッドSPI経由でコードとデータを格納するための1 Gbit SEMPER™ NORフラッシュ (HS-T) です。1.7 V～2.0 Vで動作し、動作温度範囲は-40℃～85℃です。また、SDR/DDRインターフェース周波数は最大133/66 MHz (66 MByte/s) まで対応しています。ECC (SECDED) 、データ整合性CRC、SafeBoot、AutoBoot、および高度なセクター保護により、産業用組込みシステムおよびゲートウェイでエラーを検出し、ファームウェアを保護できます。

特長

45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
均一またはハイブリッドセクターアーキテクチャ
256 KBセクター＋32×4 KBセクター
256 Bまたは512 Bプログラムバッファ
クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
16バイトデータ単位に対するハミングECC
SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
メモリアレイデータ整合性CRC
Endurance Flexウェアレベリング
ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

高密度化によりボード面積を削減
ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
高速書き込みにより更新時間を短縮
柔軟なホストインターフェースをサポート
高速読み出しによりコードフェッチを高速化
ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
安全のため、ダブルビット故障を検出
CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
セクターごとのロックにより改ざんを防止
SSRによりIDとセキュアストレージが可能

用途

デザインリソース

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S25HS01GTDPBHI030

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特長

利点

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ドキュメント

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