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RoHS準拠
鉛フリー

S25HL512TFANHI010

EA.
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S25HL512TFANHI010
S25HL512TFANHI010
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • NPSGに発行
    N
  • PSGに発行
    N
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • インターフェース帯域幅
    102 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HL-T
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25HL512TFANHI010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DFN-8 (002-15552)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DFN-8 (002-15552)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
S25HL512TFANHI010は512 MbitのSEMPER™ NORフラッシュ(HL-T)で、Quad SPIにより166 MHz SDRおよび102 MHz DDR読出し、最大102 MByte/sに対応します。電源2.7 V~3.6 V、動作温度-40°C~85°Cの産業用です。ECC(SECDED)、CRC、消去ステータスに加え、AutoBoot/SafeBoot、Endurance Flex分割、1024バイトOTP、4 KBまたは256 KBセクタを備えます。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ 2bit/セル
  • 均一/ハイブリッドセクタ
  • 256 KB+32×4 KBセクタ
  • 256 B/512 Bプログラムバッファ
  • Quad SPI:1-1-4/1-4-4/4-4-4
  • DDR読出し最大102 MBps
  • 16バイト単位のハミングECC
  • SECDED 1bit訂正/2bit検出
  • メモリアレイCRC整合性
  • Endurance Flex摩耗平準化
  • ASP:セクタ別DYB/PPB保護
  • 1024B SSR 32ロック領域

利点

  • 高密度で基板面積を削減
  • ブート/データ配置を最適化
  • 小セクタで細かな更新可能
  • 高速書込みで更新時間短縮
  • ホストIFの互換性を確保
  • 高読出しでコードフェッチ高速化
  • ECCでフィールド信頼性向上
  • 2bit故障検出で安全性向上
  • CRCで破損データを早期検出
  • 摩耗平準化で寿命を延長
  • セクタ別ロックで改ざん防止
  • SSRでID/セキュア保管

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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