S25HL512TDPNHV013
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25HL512TDPNHV013

パッケージ
ボード

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S25HL512TDPNHV013
S25HL512TDPNHV013

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • NPSGに発行
    N
  • PSGに発行
    N
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HL-T
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S25HL512TDPNHV013
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-15552)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-15552)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25HL512TDPNHV013は、産業用組み込みコードおよびデータ ストレージ向けの512 Mbit SEMPER™ NORフラッシュ (HL-T) です。2.7 V～3.6 Vで動作し、最大66 MByte/sの帯域幅 (133/66 MHz、SDR/DDR) のクアッドSPI読み出しをサポートします。定格温度範囲: -40～105℃。整合性およびブート機能には、ECC (SECDED) 、データ整合性CRC、Endurance Flexパーティション、SafeBoot、AutoBoot、およびファームウェア アップデート制御のためのセクター保護が含まれます。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
  • 均一またはハイブリッド セクター アーキテクチャ
  • 256 KBセクター＋32×4 KBセクター
  • 256 Bまたは512 Bプログラム バッファ
  • クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
  • クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
  • 16バイト データ単位に対するハミングECC
  • SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
  • メモリ アレイ データ整合性CRC
  • Endurance Flexウェアレベリング
  • ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
  • 1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

  • 高密度化によりボード面積を削減
  • ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
  • 小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
  • 高速書き込みにより更新時間を短縮
  • 柔軟なホスト インターフェースをサポート
  • 高速読み出しによりコード フェッチを高速化
  • ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
  • 安全のため、ダブルビット故障を検出
  • CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
  • ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
  • セクターごとのロックにより改ざんを防止
  • SSRによりIDとセキュア ストレージが可能

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ