S25HL512TDPMHV013

データシート

パッケージ

ボード

S25HL512TDPMHV013

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2037
Density

512 MBit
NPSGに発行

N
PSGに発行

N
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

133 / 66
インターフェース帯域幅

66 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

HL-T
リードボール仕上げ

Matte Tin Plating
動作温度範囲

-40 °C～105 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
動作電圧

3 V
認定

Industrial

	推奨
OPN	S25HL512TDPMHV013
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-16
パッケージ名	SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ	1450
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-16
パッケージ名	SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ	1450
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

S25HL512TDPMHV013は、HL-Tファミリーに属する512 MbitのSEMPER™ NORフラッシュで、クアッドSPIインターフェースを備えています。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～105℃で、最大66 MByte/sの帯域幅 (133 MHz SDR / 66 MHz DDR) をサポートします。ECC (SECDED) 、データ整合性CRC、SafeBoot、AutoBoot、1024バイトのOTPセキュアシリコン領域、およびセクター保護により、産業用組み込みシステムのファームウェアとパラメーターを保護できます。

特長

45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
均一またはハイブリッドセクターアーキテクチャ
256 KBセクター＋32×4 KBセクター
256 Bまたは512 Bプログラムバッファ
クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
16バイトデータ単位に対するハミングECC
SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
メモリアレイデータ整合性CRC
Endurance Flexウェアレベリング
ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

高密度化によりボード面積を削減
ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
高速書き込みにより更新時間を短縮
柔軟なホストインターフェースをサポート
高速読み出しによりコードフェッチを高速化
ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
安全のため、ダブルビット故障を検出
CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
セクターごとのロックにより改ざんを防止
SSRによりIDとセキュアストレージが可能

アプリケーション

通信インフラ

デザインリソース

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S25HL512TDPMHV013

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製品仕様情報

特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

S25HL512TDPMHV013

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