Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS512SAGBHV210

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S25FS512SAGBHV210
S25FS512SAGBHV210

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FS512SAGBHV210
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FS512SAGBHV210は512 Mbの車載グレードSPI NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用。SPIマルチI/O(シングル、デュアル、クアッド、DDR)対応、最大80 MB/s(133 MHz)の読出し速度。動作電圧1.7 V~2.0 V、AEC-Q100 Grade 2(-40°C~+105°C)認証取得。高度なセクタ保護、内部ECC、20年データ保持を備え、コード保存、XIP、自動車組込システムに最適。

機能

  • マルチI/O対応SPIインターフェース
  • クロックモード0/3対応
  • DDRモード対応
  • 24/32ビットアドレッシング
  • S25FLシリーズ互換コマンドセット
  • 多様なリードモード:ノーマル、ファスト、デュアル、クワッド、DDRクワ
  • バーストラップ、連続(XIP)、QPIモード
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォームセクター消去
  • 10万回以上の書き換え耐久性
  • 20年以上のデータ保持

利点

  • 柔軟なI/Oで高速転送実現
  • DDRでスループット向上
  • 大容量バッファで書込速度向上
  • ECCでデータ信頼性向上
  • 多様な消去で設計柔軟
  • 高耐久で長寿命
  • 長期データ保持で安心
  • 低電圧で省電力
  • ディープパワーダウンで節電
  • OTPでシステムセキュリティ強化
  • 高度な保護で不正防止
  • 既存設計と互換

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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