S25FS512SAGBHM210
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FS512SAGBHM210

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S25FS512SAGBHM210
S25FS512SAGBHM210
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S25FS512SAGBHM210
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
S25FS512SAGBHM210は512 Mbの車載グレードSPI NORフラッシュメモリで、1.7 V～2.0 V動作、AEC-Q100 Grade 1（-40°C～+125°C）認定取得。65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャにより、最大133 MHz SDRおよび80 MB/s DDR Quad I/Oリードに対応。ハイブリッド・ユニフォームセクタ、256/512バイトページプログラム、高度なセクタ保護、10万回の書き換えを特長とし、コード格納、XIP、車載データロギングに最適。

特長

  • マルチI/O対応SPIインターフェース
  • クロックモード0/3対応
  • DDRモード対応
  • 24/32ビットアドレッシング
  • S25FLシリーズ互換コマンドセット
  • 多様なリードモード：ノーマル、ファスト、デュアル、クワッド、DDRクワ
  • バーストラップ、連続（XIP）、QPIモード
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォームセクター消去
  • 10万回以上の書き換え耐久性
  • 20年以上のデータ保持

利点

  • 柔軟なI/Oで高速転送実現
  • DDRでスループット向上
  • 大容量バッファで書込速度向上
  • ECCでデータ信頼性向上
  • 多様な消去で設計柔軟
  • 高耐久で長寿命
  • 長期データ保持で安心
  • 低電圧で省電力
  • ディープパワーダウンで節電
  • OTPでシステムセキュリティ強化
  • 高度な保護で不正防止
  • 既存設計と互換

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ