Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS128SAGBHI203

EA.
在庫あり

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S25FS128SAGBHI203
S25FS128SAGBHI203
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FS128SAGBHI203
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S25FS128SAGBHI203は、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用した128 Mbit(16 MB)シリアルNORフラッシュメモリです。SPIマルチI/OとDDR Quad I/Oに対応し、最大133 MHz、80 MBpsで動作します。動作電圧は1.7 V~2.0 V、AEC-Q100 Grade 2(-40°C~+105°C)認定取得。柔軟なセクタ、512バイトプログラムバッファ、高度なセクタ保護、20年データ保持を備え、24ボールBGAパッケージは車載や組込み用途に最適です。

機能

  • マルチI/O対応SPIインターフェース
  • DDR・QPI読出しモード
  • 256/512バイト書込バッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/均一セクタ消去
  • 10万回以上の書換耐久性
  • 20年以上のデータ保持
  • 1.7~2.0V動作電圧
  • 最大+125°C動作温度
  • SFDPパラメータ対応
  • 高度なセクタ・ブロック保護
  • 65 nm MIRRORBIT™技術

利点

  • 柔軟な接続で多様な機器に対応
  • DDR/QPIで高速データアクセス
  • 大小ページで効率的書込
  • ECCで信頼性の高いデータ
  • 消去方式で幅広い用途に対応
  • 頻繁な更新に強い高耐久
  • 長期データ保存が可能
  • 低電圧で省エネ設計
  • 高温環境でも安定動作
  • 設定・互換性が容易
  • セキュリティ強化
  • 高密度・低コストを実現

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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