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RoHS準拠
鉛フリー

S25FL512SAGMFAG10

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S25FL512SAGMFAG10
S25FL512SAGMFAG10
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25FL512SAGMFAG10
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 2400
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 2400
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FL512SAGMFAG10は、InfineonのMIRRORBIT™技術とEclipse™アーキテクチャを採用した512 Mb（64 MB）SPI NORフラッシュメモリです。シングル、デュアル、クアッドSPIマルチI/OとDDRに対応し、最大80 MBpsの読み出し速度を実現。コア電圧2.7 V～3.6 V、I/O電圧1.65 V～3.6 Vで動作し、AEC-Q100認定の車載用途向けに最大125°Cの温度範囲をサポート。1024バイトのOTP領域と高度なセクタ保護機能を備えています。

機能

  • 3.0 Vコア多機能I/O
  • SPIマルチI/O：シングル・デュアル・クアッド
  • 全I/OモードDDR読出し
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • 均一256 KBセクター消去
  • 最小10万回書換耐性
  • 最小20年データ保持
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • 高度なセクター・ブロック保護
  • 電源電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65 V～VCC+200 mV

利点

  • 柔軟なインターフェース
  • DDR・クアッドI/Oで高速転送
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCで信頼性向上
  • セクター管理が容易
  • 頻繁な更新にも高耐久
  • 長期データ保持
  • OTP領域で認証強化
  • 強力な誤操作防止
  • 広電圧で設計容易
  • エラー報告でデータ保護
  • 旧SPIフラッシュ互換

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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