S25FL512SAGBHI313
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FL512SAGBHI313

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パッケージ
ソフトウェア
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在庫あり

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S25FL512SAGBHI313
S25FL512SAGBHI313
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S25FL512SAGBHI313
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15535)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15535)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
S25FL512SAGBHI313は512 Mb（64 MB）のSPI NORフラッシュメモリで、インフィニオンの65 nm MIRRORBIT™技術とEclipse™アーキテクチャを採用し、高速なプログラムと消去を実現。シングル、デュアル、クワッドSPIマルチI/O、SDR/DDR読出しで最大80 MBpsに対応。コア電源2.7 V～3.6 V、I/O電源1.65 V～3.6 V。512バイトページバッファ、自動ECC、均一256 KBセクタ、高度なセクタ保護機能を備え、AEC-Q100認証取得で車載や高要求組込み用途に最適。

特長

  • CMOS 3.0 Vコアと多機能I/O
  • SPI多I/O・DDR対応
  • 32ビット拡張アドレス
  • 通常/高速/デュアル/クワッド/DDR読出
  • 512バイトページ書込バッファ
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • 均一256KBセクタ
  • 10万回書換耐久性
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • セクタ・高度保護機能
  • VCC:2.7-3.6 V,VIO:1.65 V～VCC+0.2 V

利点

  • 柔軟な3.0 V設計が容易
  • 高速SPIで迅速なデータ取得
  • 大容量アドレスで大規模対応
  • 多様な読出モードで性能最適化
  • 高速書込で生産性向上
  • ECCで信頼性の高い保存
  • 均一セクタで消去簡単
  • 高耐久性で保守コスト低減
  • 長期保存でデータ安全
  • OTPでシステム強化
  • 保護機能でデータ損失防止
  • 広電圧で多用途対応

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ