S25FL128SAGNFI000

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S25FL128SAGNFI000

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2035
Density

128 MBit
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

133 / -
インターフェース帯域幅

52 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

FL-S
リードボール仕上げ

Matte Tin Plating
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
動作電圧

3 V
認定

Industrial

	推奨
OPN	S25FL128SAGNFI000
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-WSON-8
パッケージ名	DFN-8 (002-18827)
梱包サイズ	3380
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-WSON-8
パッケージ名	DFN-8 (002-18827)
梱包サイズ	3380
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

S25FL128SAGNFI000は、インフィニオンの65nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用した128 Mb（16 MB）SPIマルチI/O NORフラッシュメモリです。最大133 MHz（SDR）、80 MHz（DDR）読み出し、1.5 MBpsページプログラム、高度なブロック・セクタ保護やOTPメモリを備えます。2.7 V～3.6 Vコア、1.65 V～3.6 V I/Oで動作し、AEC-Q100認証取得、自動車・産業・組込用途のコードシャドウ、XIP、データストレージに最適です。

特長

CMOS 3.0 Vコアと多用途I/O
SPIマルチI/Oインターフェース
DDR/SDRクロック対応
24/32ビット拡張アドレス
多様なリードモード：ノーマル、ファスト、デュアル、クワッド、DDR
ページプログラム最大1.5 MBps
自動ECC単一ビット訂正
ハイブリッド/ユニフォームセクタ消去
10万回書換耐久
20年データ保持
1024バイトOTPセキュリティ領域
高度なセクタ・ブロック保護

利点

柔軟なI/Oで統合容易
高速SPIでデータ転送向上
DDR/SDRで設計自由度
拡張アドレスで大容量対応
多様なリードで性能最適化
高速プログラムで生産効率化
ECCで信頼性向上
セクタ選択で互換性確保
高耐久で保守コスト減
長期保持でデータ安全
OTPでセキュアID実現
保護機能で安全性強化

アプリケーション

デザインリソース

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S25FL128SAGNFI000

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

S25FL128SAGNFI000

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