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RoHS準拠

S25FL127SABNFI701

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S25FL127SABNFI701
S25FL127SABNFI701

製品仕様情報

  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    108 / -
  • インターフェース帯域幅
    54 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
S25FL127Sは128 Mb(16 MB)のSPIマルチI/Oフラッシュメモリで、MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャによりプログラム・消去性能を向上。2.7 V~3.6 V動作、–40°C~+125°C(AEC-Q100 Grade 1)対応。最大54 MBpsの通常・高速・デュアル・クアッドリードモード、柔軟なセクター構成、1024バイトOTP領域、10万回の書き換え耐久性を備え、組込みコードシャドウ、XIP、セキュアデータ保存用途に最適。

特長

  • CMOS 3.0 Vコア
  • 128 Mb (16 MB)容量
  • SPIマルチI/O対応
  • 24/32ビットアドレス
  • 読み出し:ノーマル/高速/デュアル/クワッド
  • AutoBootで自動読み出し
  • 256/512バイト書き込みバッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書き換え耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 低電圧で省電力
  • 大容量で多く保存可能
  • SPIマルチI/Oで高い互換性
  • 拡張アドレスで大規模設計対応
  • 多様な読み出しで速度最適化
  • AutoBootで起動高速化
  • 大バッファで書き込み高速
  • ECCで信頼性向上
  • 多様な消去で柔軟対応
  • 高耐久で保守コスト低減
  • 長期保持でデータ安全
  • OTP領域でセキュア

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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