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RIC7S113C4CDV

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RIC7S113C4CDV
RIC7S113C4CDV
データシート

Product details

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    17 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    100 ns
  • ton
    120 ns
  • tr
    25 ns
  • VS max
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    Die in waffle pack
  • 出力電圧 max
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス
    5 V to 20 V
  • 電源電圧
    10 V to 20 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 N/A
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 -
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
RIC7S113C4CDV is the die for rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver, RIC7S113. Rated up to 100 krad(Si) TID and temperature range of -55°C to 125°C. Visual inspection only.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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