RIC7S113A4SCS
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RIC7S113A4SCS
RIC7S113A4SCS


製品仕様情報

  • SEE
    81.9
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    14-pin ceramic flat pack
  • 出力電圧 (最大)
    20 V
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~125 °C
  • 製品カテゴリ
    Gate Driver
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス 範囲
    5 V~20 V
  • 電源電圧 範囲
    10 V~20 V

OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 14L Flatpack
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 14L Flatpack
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Rad hard RIC7S113A4SCS is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. With high voltage support up to 400V, it's characterized up to 100 krad(Si) TID and SEE up to LET of 81.9 MeV·cm2/mg. Screened to MIL-PRF-38534 Level S. Intended for harsh radiation environments such as space, this device is packaged in a hermetically sealed 14-pin flatpack.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ