JANSR2N7588T3
Active and preferred

JANSR2N7588T3

データシート
パッケージ

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JANSR2N7588T3
JANSR2N7588T3
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7588T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The JANSR2N7588T3 N-channel MOSFET provides a reliable solution for space applications. With a voltage rating of 100V and current rating of 20A, these rad hard R6 MOSFETs have been characterized for Total Dose and Single Event Effects. Their low RDS(on) and gate charge minimize power losses in switching applications, and they offer voltage control and fast switching.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ