JANSF2N7661U3CE
近日公開
近日公開

JANSF2N7661U3CE

Rad hard, -200 V, -15 A, MOSFET in SMD-0.5e Ceramic Lid package – 300 krad TID, JANS
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7661U3CE
JANSF2N7661U3CE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -15 A
  • QG
    49 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    0.175 Ω
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA

OPN
製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSR2N7661U3CE P-channel MOSFET is rad hard, with -200V and -15A, in a single SMD-0.5e enhanced package with a ceramic lid and electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

特長

  • SEE hardened
  • Low RDS(on)
  • Rugged SOA
  • Improved Avalanche Energy
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Light weight
  • Surface mount

アプリケーション

航空宇宙および防衛
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ