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JANSF2N7380

データシート
パッケージ

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JANSF2N7380
JANSF2N7380
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    9.1 A
  • ID (@25°C) max
    14.4 A
  • QG
    40 nC
  • QPL型番
    2N7380
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The N-channel MOSFET JANSF2N7380 is a single, rad hard device with a maximum voltage of 100V and current of 14.4A. It is designed for use in space applications, with electrical performance up to 300krad(Si) TID and is QPL-qualified. The IR HiRel rad hard HEXFET technology used in the MOSFET provides high performance and reliability, making it ideal for use in DC-DC converters and motor control.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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