ISG0613N04NM6H
Active and preferred
RoHS対応

ISG0613N04NM6H

OptiMOS™ 5 dual N-channel 60 V MOSFETs in scalable power block
データシート
パッケージ
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在庫あり

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ISG0613N04NM6H
ISG0613N04NM6H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    299 A
  • QG (typ @10V)
    69 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.88 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.8 V～2.8 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • パッケージ
    Power Block 6.3x6
  • 予算価格€/ 1k
    1.59
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Symmetrical Half-bridge
推奨
OPN
ISG0613N04NM6HATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VITFN-10
パッケージ名 PQFN 6.3x6
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VITFN-10
パッケージ名 PQFN 6.3x6
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features very low RDS(on) of 0.88 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration. This can replace two discrete Q1/Q2 MOSFETs ex: PQFN 5x6 and shrink the power section on the board by at least 50%. The low parasitic inductance of the package improves switching performance & EMI while reducing overall BOM cost. The optimized lead-frame & Cu-clip significantly improves the package thermal performance.

特長

  • Cutting edge OptiMOS™ silicon technology
  • Outstanding FOMs
  • High chip/package ratio
  • Optimized lead-frame and Cu-clip design
  • Internally connected Q1/Q2 MOSFETs
  • Compact and simplified layout design

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • High power capability
  • Superior thermal performance
  • Lowest loop inductance
  • Superior switching performance/EMI

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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