ISCH42N04LM7
Active and preferred
RoHS対応

ISCH42N04LM7

Unleash maximum power with the next best-in-class OptiMOS™ 7 40 V power MOSFET in a PQFN 5x6
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISCH42N04LM7
ISCH42N04LM7
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    541 A
  • IDpuls (最大)
    2164 A
  • QG (typ @10V)
    156 nC
  • QG (typ @4.5V)
    79 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.42 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.59 mΩ
  • Special Features
    Logic Level, Rds(on) optimized
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～1.8 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    1.25
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
ISCH42N04LM7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,DE

特長

  • BiC 40 V power MOSFET in a PQFN 5x6
  • Outstanding RDS(on)
  • Industry standard footprint
  • Wide safe operating area 

利点

  • Best fit in BMS applications
  • Less energy loss/highest power density
  • Ease of integration for seamless compatability
  • Increased reliability and robustness
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ