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ISC300N20NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
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ISC300N20NM6
ISC300N20NM6
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • IDpuls (最大)
    176 A
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    30 mΩ
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC300N20NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
ISC300N20NM6 leverages the advanced cell design of the OptiMOS™ 6 200 V technology to provide a suitable alternative to legacy OptiMOS™ 3 and OptiMOS™ FD products. The OptiMOS™ 6 200 V technology was designed to fullfill the requirements of a wide range of applications: from static swiching to high frequency in hard and soft switching applications.

特長

  • Industries lowest RDS(on) in 200 V
  • Industries lowest Qrr in 200 V
  • Compared to previous 200 V technology
  • Up to 42 % lower RDS(on)
  • Up to 89% lower Qrr(typ)
  • 36% lower FOMg
  • More than 3 times softer diode
  • Improved capacitance linearity
  • Improved SOA
  • Tight Vgs(th) spread of +/-750 mV
  • High avalanche ruggedness
  • Max Tj of 175°C and MSL1

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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