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IRSM808-105MH
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRSM808-105MH

生産終了
CIPOS™ Nano 500 V, 0.8 Ω half-bridge intelligent power module
データシート

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IRSM808-105MH
IRSM808-105MH
データシート

製品仕様情報

  • Pmot (10kHz)
    200 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    0.8 Ω
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • スイッチ タイプ
    MOSFET
  • 内蔵NTC
    No
  • 定格電流
    10 A
  • 暗号化
    No
  • 製品カテゴリ
    Intelligent Power Modules (IPM)
  • 製品グループ
    CIPOS™ Nano
  • 製品名
    IRSM808-105MH
  • 言語
    PLECS
  • 認定
    Industrial
  • 追加の情報
    Electrical
  • 電圧クラス
    500 V
OPN
IRSM808-105MHTR IRSM808-105MH
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ QFN 8X9 31L QFN 8X9 31L
パッケージ名 QFN 8x9 QFN 8x9
梱包サイズ 2000 1300
梱包形態 TAPE & REEL TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3 3
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ QFN 8X9 31L
パッケージ名 QFN 8x9
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ QFN 8X9 31L
パッケージ名 QFN 8x9
梱包サイズ 1300
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CIPOS™ Nano 500 V, 0.8 Ω half-bridge MOSFET based intelligent power module in QFN 8x9 package providing ultra compact, half-bridge topology solution through a rugged IC in the small QFN package for small home appliances, low power drives which are space-constrained. Also, its inverted logic for low side switch (LIN) and adjustable deadtime enable users to run this half bridge IPM using single PWM signal.

特長

  • Low RDS(on) Trench FREDFETs based
  • Integrated bootstrap functionality
  • Undervoltage lockout
  • Matched prop. delay for both chan.
  • 3.3 V input logic compatible
  • Active high HIN and active low LIN
  • M. power rating up to 205 W@10 kHz
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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