IRS2153DS
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IRS2153DS

600 V half-bridge gate driver IC with oscillator, integrated bootstrap FET, programmable frequency and programmable shutdown
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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IRS2153DS
IRS2153DS
個.

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VCC UVLO (On)
    11 V
  • VCC UVLO (Off)
    9 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 入力 Vcc 範囲
    10.1 V～15.4 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.26 A
  • 出力電流 (Source)
    0.18 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
製品ステータス active and preferred discontinued
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
SOIC 8N
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 2500 3800
梱包形態 TAPE & REEL TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 2 2
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 3800
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
EiceDRIVER™ Self-Oscillating 600 V half-bridge gate driver IC with typical 0.18 A source and 0.26 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 8 Lead PDIP.

特長

  • Integ. 600 V half-bridge driver
  • CT, RT programmable oscillator
  • 15.4 V Zener clamp on Vcc
  • Micropower startup
  • Non-latched shutdown on CT pin
  • Internal bootstrap FET
  • +/- 50 V/ns dV/dt immunity
  • Internal deadtime
  • Typical deadtime 1.1 µs (IRS2153D)
  • Typical deadtime 0.6 µs (IRS21531D)

図

Circuit_Diagramm_IRS2153DS
Circuit_Diagramm_IRS2153DS
Circuit_Diagramm_IRS2153DS Circuit_Diagramm_IRS2153DS Circuit_Diagramm_IRS2153DS
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