Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IRS21531DS

600 V half-bridge gate driver IC with oscillator, integrated bootstrap FET, programmable frequency and programmable shutdown
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRS21531DS
IRS21531DS
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (Off)
    9 V
  • VCC UVLO (On)
    11 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    150 ns
  • 伝搬遅延オン
    680 ns
  • 入力 Vcc
    10.1 V to 15.4 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.26 A
  • 出力電流 (Source)
    0.18 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IRS21531DSTRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ 600 V half-bridge gate driver IC with typical 0.18 A source and 0.26 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 8 Lead PDIP.

機能

  • Integ. 600 V half-bridge driver
  • CT, RT programmable oscillator
  • 15.4 V Zener clamp on Vcc
  • Micropower startup
  • Non-latched shutdown on CT pin
  • Internal bootstrap FET
  • +/- 50 V/ns dV/dt immunity
  • Internal deadtime
  • Typical deadtime 0.6 µs (IRS21513D)
  • Typical deadtime 1.1 µs (IRS2153D)

図

Circuit_Diagramm_IRS21531DS
Circuit_Diagramm_IRS21531DS
Circuit_Diagramm_IRS21531DS Circuit_Diagramm_IRS21531DS Circuit_Diagramm_IRS21531DS
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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