IRS2109S
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IRS2109S

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRS2109S
IRS2109S
個.
データシート


製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    200 ns
  • 伝搬遅延オン
    750 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.29 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.6 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

推奨
OPN
IRS2109STRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,TH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
600 V half-bridge gate driver IC IGBTs and MOSFETs with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead SOIC package. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, 14 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2109S06F , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

特長

  • Floating driver for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3, 5, & 15 V logic input compati.
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Highside output in phase with input
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Internal 540 ns deadtime

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ