新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRLZ34N

55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
EA.
在庫あり

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Product details

  • ID (@25°C) max
    30 A
  • Ptot max
    56 W
  • Qgd
    9.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    16.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    60 mΩ
  • RthJC max
    2.7 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS max
    16 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.27
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRLZ34NPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for wide distribution access
  • JEDEC-standard product qualification
  • Silicon optimized for <100kHz switching
  • Standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Widely Available via Distributors
  • Industry standard qualification
  • Low freq. performance
  • Easy swap: standard pin-out
  • High current capability

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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