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IRLZ24N
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRLZ24N

生産終了
55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRLZ24N
IRLZ24N
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    18 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • Qgd
    5.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    10 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    60 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    105 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.3
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRLZ24NPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pin-out allows for drop-in replacement
  • High current capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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