新覝設計㝯非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IRLML6401

-12V Single P-Channel Power MOSFET in a Micro 3 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫㝂り

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IRLML6401
IRLML6401
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -4.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.3 W
  • Qgd
    2.6 nC
  • QG (typ @4.5V)
    10 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    50 mΩ
  • RthJA max
    100 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -12 V
  • VGS(th)
    -0.55 V
  • VGS max
    8 V
  • パッケージ
    SOT-23
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.06
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Power
OPN
IRLML6401TRPBF
製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT23
パッケージ坝 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫㝂り

製哝ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT23
パッケージ坝 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスポャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫㝂り
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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