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IRHYB9A3034CM

データシート
パッケージ

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IRHYB9A3034CM
IRHYB9A3034CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    28 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7647D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
R9 N-channel MOSFET IRHYB9A3034CM is a rad hard device with low RDS(on) and fast switching times, ideal for space applications. Its superjunction technology reduces power losses and increase power density in high speed switching applications. It's rated up to 60V, 30A, and 300krad(Si) TID, with improved immunity to Single Event Effect. Its electrical performance is characterized for useful performance with LET up to 90MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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