IRHNS9A97260
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IRHNS9A97260

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IRHNS9A97260
IRHNS9A97260
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    3B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -62 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7666U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    32 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNS9A97260 P-channel MOSFET is rad hard, with -200V and -62A, in a single SupIR-SMD package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ