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IRHNJ63234

データシート
パッケージ

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IRHNJ63234
IRHNJ63234
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7593U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    210 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard N-channel R6 MOSFET in a SMD-0.5 package is designed for space applications with improved immunity to Single Event Effects (SEE). With 250V, 12.4A current capacity, and up to 300krad(Si) TID electrical performance, IRHNJ63234 is ideal for space applications. Its combination of low RDS(on) and faster switching times reduces power loss and increases power density in high-speed applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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